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非接觸電阻率測(cè)試儀在半導(dǎo)體制造過(guò)程中的作用
2025-08-28
PN型測(cè)試儀的設(shè)計(jì)特點(diǎn)及使用注意事項(xiàng)
2025-07-17
2025-06-26
霍爾遷移率測(cè)試儀的工作特點(diǎn)及具體工作過(guò)程
2025-06-26
無(wú)損電阻率測(cè)試儀在地質(zhì)勘探中的作用
2025-05-28
產(chǎn)品中心/ products
晶錠渦流法電阻率測(cè)試儀:電阻率是用來(lái)表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。某種物質(zhì)所制成的原件(常溫下20°C)的電阻與橫截面積的乘積與長(zhǎng)度的比值叫做這種物質(zhì)的電阻率。電阻率與導(dǎo)體的長(zhǎng)度、橫截面積等...
霍爾遷移率(Hall mobility)是指?Hall系數(shù)RH與?電導(dǎo)率σ的乘積,即│RH│σ,具有遷移率的量綱?。其表達(dá)式為μH =│RH│σ。?12定義和計(jì)算方法霍爾遷移率是Hall系數(shù)RH與電導(dǎo)...
??渦流法方阻測(cè)試儀的方阻是指一個(gè)正方形?薄膜導(dǎo)電材料邊到邊的電阻?,也稱(chēng)為方塊電阻或?膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導(dǎo)電材料(如?蒸發(fā)鋁膜、?導(dǎo)電漆膜、印制電路板銅箔膜等)厚度的一個(gè)參數(shù),其大小與材料的電...
是一款汞探針CV自動(dòng)圖形掃描測(cè)量系統(tǒng)。它使用高頻CV測(cè)量分析系統(tǒng),可以對(duì)75mm、100mm、125mm、150mm、200mm(以及300mm)直徑的測(cè)試片進(jìn)行測(cè)量和自動(dòng)成圖。該系統(tǒng)采用汞探針設(shè)計(jì),...
電化學(xué)EC-V剖面濃度測(cè)試儀可高效、準(zhǔn)確的測(cè)量半導(dǎo)體材料(結(jié)構(gòu),層)中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕,從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過(guò)程由軟件全自動(dòng)控制。
非接觸式無(wú)損方塊電阻測(cè)試儀、晶圓方阻測(cè)試儀,方阻測(cè)試儀,硅片電阻率測(cè)試儀,渦流法高低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,渦流法電阻率探頭和PN探頭測(cè)試儀,遷移率(霍爾)測(cè)試儀,少子壽命測(cè)試儀,晶圓、硅片厚...
我司憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線,已發(fā)展成為中國(guó)大陸少數(shù)具有一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備提供商,主營(yíng)非接觸方阻測(cè)試儀、晶圓方阻測(cè)試儀,方阻測(cè)試儀,硅片電阻率測(cè)試儀,渦流法高低電阻率分析儀,晶錠電阻率...
霍爾遷移率測(cè)試儀主要利用微波測(cè)試原理,非接觸式測(cè)量射頻HEMT結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的方阻、遷移率及載流子濃度??蓪?shí)現(xiàn)單點(diǎn)測(cè)試,亦可以實(shí)現(xiàn)面掃描的測(cè)試功能,具有快速,無(wú)損,準(zhǔn)確等優(yōu)勢(shì),可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)...
渦流法?電阻率方阻是一種利用電磁感應(yīng)原理進(jìn)行檢測(cè)的方法。當(dāng)載有交變電流的試驗(yàn)線圈靠近導(dǎo)體工件時(shí),會(huì)產(chǎn)生交變磁場(chǎng),進(jìn)而在工件中感生出密閉的環(huán)狀電流,即渦流。渦流的大小、相位及流動(dòng)形式受到工件性質(zhì)(如電導(dǎo)...
設(shè)備主要利用渦電流測(cè)試原理,非接觸測(cè)試半導(dǎo)體材料,石墨烯,透明導(dǎo)電膜,碳納米管,金屬等材料的方阻(電阻率)。可實(shí)現(xiàn)單點(diǎn)測(cè)試,亦可以實(shí)現(xiàn)面掃描的測(cè)試功能,可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測(cè)及質(zhì)量控制
PN型測(cè)試儀可以測(cè)試硅片PN型號(hào)、硅片厚度也是影響生產(chǎn)力的一個(gè)因素,因?yàn)樗P(guān)系到每個(gè)硅塊所生產(chǎn)出的硅片數(shù)量。超薄的硅片給線鋸技術(shù)提出了額外的挑戰(zhàn),因?yàn)槠渖a(chǎn)過(guò)程要困難得多。除了硅片的機(jī)械脆性以外,如果...
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