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霍爾遷移率測試儀

霍爾遷移率測試儀主要利用微波測試原理,非接觸式測量射頻HEMT結(jié)構(gòu)半導體材料的方阻、遷移率及載流子濃度。可實現(xiàn)單點測試,亦可以實現(xiàn)面掃描的測試功能,具有快速,無損,準確等優(yōu)勢,可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測及質(zhì)量控制。

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2025-01-16
  • 訪  問  量:239
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產(chǎn)品詳情

產(chǎn)品描述:

霍爾遷移率測試儀主要利用微波測試原理,非接觸式測量射頻HEMT結(jié)構(gòu)半導體材料的方阻、遷移率及載流子濃度??蓪崿F(xiàn)單點測試,亦可以實現(xiàn)面掃描的測試功能,具有快速,無損,準確等優(yōu)勢,可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測及質(zhì)量控制。

特點:

霍爾遷移率測試儀適用于遷移率量測范圍在100cm2/V · s~3000cm2/V · s的射頻HEMT外延片。非接觸,非損傷測試,具有測試速度快,

重復性佳,測試敏感性高,可以直接測試產(chǎn)品片等優(yōu)點。

技術(shù)參數(shù):

規(guī)格描述
載流子遷移率測試范圍100~20000cm2/V·s
方塊電阻測試范圍100-3000Ω/sq
載流子濃度1E+11 - 1E+14
載流子遷移率動態(tài)重復性≤2%
載流子遷移率靜態(tài)重復性≤1%
載流子遷移率測試準確性±10%
方塊電阻測試動態(tài)重復性≤2%
方塊電阻靜態(tài)重復性≤1%
方塊電阻測試準確性±10%
測試樣品允許厚度200-1500μm
測試樣片尺寸2"-8"
磁感應強度1.0T可刪除可反轉(zhuǎn)
軟件功能自動輸出包含Mapping,二維等高線圖3D圖的報告
自動傳送測試能力可選配

微波-霍爾法測試半導體方阻及載流子遷移率的原理

霍爾遷移率測試儀


原理:

利用微波源發(fā)射微波通過波導將微波傳輸至測試樣品表面,在磁場作用下具有不同遷移率的樣品對微波的反射效果不同,通過探測反射的微波功率再將其轉(zhuǎn)化為對應的電導張量,從而建立模型可以計算出HEMT 結(jié)構(gòu)的載流子濃度和遷移率。

微波-霍爾法測試半導體方阻核心算法相關性

對應信號和方阻值得擬合曲線,如下圖所示:

霍爾遷移率測試儀

遷移率Mapping5點測試報告

報告時間

2023/08/17/11:43

測試樣本數(shù)

5

分析時間

2023/08/17/11:30

**遷移率

1852.68

操作員ID

admin

最小遷移率

1794.41

襯底設置

test

平均遷移率

1813.35

襯底厚度

500μm

標準偏差

21.3136

尺寸規(guī)格

100mm

相對標準偏差

1.1754%


霍爾遷移率測試儀


霍爾遷移率測試儀



霍爾遷移率測試儀

非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀,方阻測試儀,硅片電阻率測試儀,渦流法高低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀,遷移率(霍爾)測試儀,少子壽命測試儀,晶圓、硅片厚度測試儀,表面光電壓儀JPV\SPV。為碳化硅、硅片、氮化鎵、氧化鎵、襯底和外延廠商提供測試和解決方案。

憑借先進的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線,已發(fā)展成為中國大陸少數(shù)具有一定國際競爭力的半導體專用設備提供商,產(chǎn)品得到眾多國內(nèi)外主流半導體廠商的認可,并取得良好的市場口碑。主要應用領域:碳化硅測試、氮化鎵測試、晶圓硅片測試、氧化鎵測試、襯底和外延廠商、光伏電池片測試。

霍爾遷移率(Hall mobility)是指Hall系數(shù)RH與電導率σ的乘積,即│RH│σ,具有遷移率的量綱, 故特別稱為Hall遷移率。表示為μH =│RH│σ。

 
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