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金屬薄膜方阻測(cè)試儀：金屬薄膜方阻，方塊電阻又稱膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測(cè)量值，該數(shù)值大小可直接換算為熱紅外輻射率。方塊電阻的大小與樣品尺寸無(wú)關(guān)，其單...

氧化鎵電阻率方阻測(cè)試儀：Ga2O3是一種透明的氧化物半導(dǎo)體材料，在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景，被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學(xué)探測(cè)器

氮化鎵電阻率方阻測(cè)試儀：氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。

碳化硅電阻率方阻測(cè)試儀：1、電阻率ρ不僅和導(dǎo)體的材料有關(guān)，還和導(dǎo)體的溫度有關(guān)。在溫度變化不大的范圍內(nèi)：幾乎所有金屬的電阻率隨溫度作線性變化，即ρ=ρ0（1+at）。式中t是攝氏溫度，ρ0是O℃時(shí)的電阻...

晶圓電阻率測(cè)試儀：電阻率（resistivity）是用來(lái)表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是電阻率，l為材料的長(zhǎng)度，S為面積?？梢钥闯?，材料的電阻大小與材料...

硅片電阻率測(cè)試儀：電阻率（resistivity）是用來(lái)表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是電阻率，l為材料的長(zhǎng)度，S為面積?？梢钥闯?，材料的電阻大小與材料...

非接觸式單點(diǎn)薄層電阻測(cè)量系統(tǒng)。該裝置包含一個(gè)渦流傳感器組，感應(yīng)弱電流到導(dǎo)電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測(cè)量?jī)x試樣中的感應(yīng)電流產(chǎn)生與測(cè)量對(duì)象的片電阻相關(guān)的電磁場(chǎng)。電渦流技術(shù)不依賴于表面特征或形貌。此...

表面光電壓法（Surface Photovoltage Method，簡(jiǎn)稱SPV法）是通過(guò)測(cè)量由于光照在半導(dǎo)體材料表面產(chǎn)生的表面電壓來(lái)獲得少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的方法。其原理是：用能量大于半導(dǎo)體材料禁帶寬...

無(wú)損方塊電阻測(cè)試儀包含一個(gè)渦流傳感器組，感應(yīng)弱電流到導(dǎo)電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測(cè)量?jī)x試樣中的感應(yīng)電流產(chǎn)生與測(cè)量對(duì)象的片電阻相關(guān)的電磁場(chǎng)。電渦流技術(shù)不依賴于表面特征或形貌。此外，非接觸式單點(diǎn)方...

晶錠非接觸方阻測(cè)試儀：晶錠，也叫單晶硅棒，是一種純硅材料，在電子工業(yè)中被廣泛應(yīng)用。晶錠是一種長(zhǎng)條狀的半導(dǎo)體材料，通常采用Czochralski法或發(fā)明家貝爾曼的Float-Zone法制備，直徑通常為2...

晶錠渦流法電阻率測(cè)試儀：電阻率是用來(lái)表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。某種物質(zhì)所制成的原件(常溫下20°C)的電阻與橫截面積的乘積與長(zhǎng)度的比值叫做這種物質(zhì)的電阻率。電阻率與導(dǎo)體的長(zhǎng)度、橫截面積等...

霍爾遷移率（Hall mobility）是指?Hall系數(shù)RH與?電導(dǎo)率σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱?。其表達(dá)式為μH =│RH│σ。?12定義和計(jì)算方法霍爾遷移率是Hall系數(shù)RH與電導(dǎo)...